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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.951775
10
¥9.388465
100
¥8.857041
500
¥8.355703
1000
¥7.882734
ON Semiconductor FDMA3027PZ
- 收藏
- 对比
FDMA3027PZ
1807-FDMA3027PZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VDFN Exposed Pad
大陆
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ON SEMICONDUCTOR - FDMA3027PZ - MOSFET, P-CH, DUAL, 30V/25V, 6MLP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMA3027PZ详情
ON Semiconductor FDMA3027PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
质量
40mg
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
17 ns
Number of Elements
2
系列
PowerTrench®
已出版
2006
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
1.4W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.2 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
87m Ω @ 3.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
435pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3.3A
阈值电压
-1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏极-源极导通最大电阻
0.087Ohm
漏源击穿电压
-30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
80 pF
宽度
2mm
长度
2mm
高度
725μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
FDMA3027PZ拓展信息









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