Infineon Technologies IRF7606TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

43 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2002

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

电阻

90MOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-3.6A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

39 ns

连续放电电流(ID)

-3.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

29A

高度

860μm

长度

3mm

宽度

3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅