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首页 全部分类 FDMA86265P vs FDN86265P

FDMA86265P备选型号: FDN86265P

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDMA86265P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    30mg
    SILICON
    1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Gold/Palladium/Silver (Ni/Au/Pd/Ag)
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 1A, 10V
    4V @ 250μA
    210pF @ 75V
    4nC @ 10V
    2.2ns
    150V
    ±25V
    6.4 ns
    1A
    25V
    1A
    5 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN86265P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    800mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    -
    5.7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 800mA, 10V
    4V @ 250μA
    210pF @ 75V
    4.1nC @ 10V
    2.2ns
    150V
    ±25V
    9.9 ns
    800mA
    25V
    0.8A
    5 pF
    ROHS3 Compliant
    2017
    e3
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
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FDT86256 FDT86256 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4 对比