ON Semiconductor FDMA86265P
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FDMA86265P
1807-FDMA86265P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-WDFN Exposed Pad
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MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
--最小包装量--
FDMA86265P详情
ON Semiconductor FDMA86265P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
Turn Off Delay Time
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Gold/Palladium/Silver (Ni/Au/Pd/Ag)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.8 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
210pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4nC @ 10V
上升时间
2.2ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
6.4 ns
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMA86265P拓展信息
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