ON Semiconductor FDN86265P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

Turn Off Delay Time

7.9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 800mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

210pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.1nC @ 10V

上升时间

2.2ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

9.9 ns

连续放电电流(ID)

800mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.8A

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

940μm

长度

2.92mm

宽度

1.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant