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首页 全部分类 FDMA8884 vs IRFTS8342TRPBF

FDMA8884备选型号: IRFTS8342TRPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 终端形式
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMA8884
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    30mg
    SILICON
    6.5A Ta 8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    8541.29.00.95
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    1.9W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    3V @ 250μA
    450pF @ 15V
    7.5nC @ 10V
    1ns
    ±20V
    1 ns
    6.5A
    20V
    8A
    0.023Ohm
    30V
    28 pF
    750μm
    2mm
    2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFTS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    -
    SILICON
    8.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    -
    7.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 8.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    560pF @ 25V
    4.8nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    8.2 ns
    8.2A
    20V
    -
    -
    30V
    -
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    19MOhm
    鸥翼
    1.8V
    80A
    12 ns
    1.8 V
    无SVHC
    无铅
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