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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.891436
10
¥1.784374
100
¥1.683371
500
¥1.588086
1000
¥1.498194
Diodes Incorporated DMC3028LSD-13
- 收藏
- 对比
DMC3028LSD-13
671-DMC3028LSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC3028LSD-13详情
Diodes Incorporated DMC3028LSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.6A 6.8A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
44 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.8W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMC3028LSD
引脚数量
8
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.1W
接通延迟时间
3.5 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
472pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 10V
上升时间
4.9ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
7.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.5A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
DMC3028LSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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