ON Semiconductor NTHS4166NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

20 ns

Power Dissipation (Max)

800mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 4.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

6.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.022Ohm

漏源击穿电压

30V

高度

1.1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅