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首页 全部分类 FDMB3900AN vs NTMS4800NR2G

FDMB3900AN备选型号: NTMS4800NR2G

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMB3900AN
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V Dual N-Chanenl
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    60μg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    800mW
    R-PDSO-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.6W
    DRAIN
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    23m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    890pF @ 13V
    17nC @ 10V
    3ns
    25V
    3 ns
    7A
    20V
    7A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    3mm
    1.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMS4800NR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    9.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    940pF @ 25V
    7.7nC @ 4.5V
    4ns
    -
    6.5 ns
    6.4A
    20V
    8A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    2008
    DUAL
    鸥翼
    8
    ±20V
    0.02Ohm
    无铅
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