ON Semiconductor FDMB3900AN

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

60μg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

最大功率耗散

800mW

JESD-30代码

R-PDSO-N6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

890pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

3mm

宽度

1.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant