FDMC4435BZ备选型号: FDS4435BZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- MOSFET -30V P-Channel PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 4 days ago)23 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8200mgSILICON8.5A Ta 18A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)5EAR9920MOhmULTRA-LOW RESISTANCEDUALS-PDSO-N51Single增强型MOSFET2.3WDRAIN10 nsP-ChannelSWITCHING20m Ω @ 8.5A, 10V3V @ 250μA2045pF @ 15V46nC @ 10V6ns30V±25V20 ns-8.5A-1.9V25V-30V50A24 mJ150°C-1.9 V800μm3.3mm3.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOICACTIVE (Last Updated: 1 day ago)18 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8130mgSILICON8.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR9920MOhm-DUAL-1Single增强型MOSFET2.5W-10 nsP-ChannelSWITCHING20m Ω @ 8.8A, 10V3V @ 250μA1845pF @ 15V40nC @ 10V13ns30V±25V38 ns-8.8A-2.1V25V-30V--150°C-2.1 V1.75mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅2009-30V鸥翼-8.8A345 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHM9391TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN | 对比 |
| FDS4435 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 对比 |




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