FDMC4435BZ备选型号: IRFHM9391TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端形式
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    23 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    200mg
    SILICON
    8.5A Ta 18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    20MOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    S-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 8.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2045pF @ 15V
    46nC @ 10V
    6ns
    30V
    ±25V
    20 ns
    -8.5A
    -1.9V
    25V
    -30V
    50A
    24 mJ
    150°C
    -1.9 V
    800μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
    -
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    S-PDSO-F5
    1
    -
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    14.6m Ω @ 11A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    16nC @ 10V
    27ns
    30V
    ±25V
    60 ns
    11A
    -1.8V
    25V
    -30V
    90A
    75 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2013
    FLAT
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.0225Ohm
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