FDMC510P备选型号: DMP2008UFG-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- DS 击穿电压-最小值
- Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin MLP T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)23 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8165.33333mgSILICON12A Ta 18A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e4yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFET41WDRAIN15 nsP-ChannelSWITCHING8m Ω @ 12A, 4.5V1V @ 250μA7860pF @ 10V116nC @ 4.5V34ns20V±8V170 ns12A-500mV8V54A-20V50A37 mJ750μm3.3mm3.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant------
- MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI-19 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-SILICON14A Ta 54A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2014e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALS-PDSO-N5-增强型MOSFET-DRAIN22 nsP-ChannelSWITCHING8m Ω @ 12A, 4.5V1V @ 250μA6909pF @ 10V72nC @ 4.5V33ns20V±8V124 ns12A-8V14A--113 mJ---无SVHC-ROHS3 CompliantMatte Tin (Sn)无铅26040SINGLE WITH BUILT-IN DIODE20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP2008UFG-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI | 对比 |
| FDS4465 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | In a Pack of 5, FDS4465 P-Channel MOSFET, 13.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor | 对比 |




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