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FDMC6679AZ备选型号: STD4N52K3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 10mOACTIVE (Last Updated: 5 days ago)23 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8165.33333mgSILICON11.5A Ta 20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e4yes活跃1 (Unlimited)5EAR9910MOhmDUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFET41WDRAIN12 nsP-ChannelSWITCHING10m Ω @ 11.5A, 10V3V @ 250μA3970pF @ 15V91nC @ 10V14ns30V±25V46 ns11.5A-1.8V25V-30V32A750μm3.3mm3.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)--Surface Mount, Through Hole表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638-SILICON2.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH3™-e3-Discontinued1 (Unlimited)3EAR992.6Ohm-R-PSIP-T3Single增强型MOSFET70W-8 nsN-ChannelSWITCHING2.6 Ω @ 1.25A, 10V4.5V @ 50μA334pF @ 100V2nC @ 10V7ns-±30V14 ns2.5A-30V525V-----无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - annealedULTRA-LOW RESISTANCE260STD4N3- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
 | STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp | 对比 |
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