STMicroelectronics STD4N52K3

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

SuperMESH3™

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.6Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STD4N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.6 Ω @ 1.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

334pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

525V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅