您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC7200 vs IRFTS8342TRPBF

FDMC7200备选型号: IRFTS8342TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 电阻
  • 端子位置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC7200
    ON Semiconductor
    MOSFET iFET - Smart Harvest
    23 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    186mg
    SILICON
    38 ns
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    900mW
    无铅
    未说明
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    13 ns
    700mW 900mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    23.5m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 15V
    10nC @ 10V
    4ns
    6 ns
    8A
    20V
    6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    30 pF
    3mm
    3mm
    800μm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFTS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    12 Weeks
    -
    SOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -
    SILICON
    8.2A Ta
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    7.3 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 8.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    560pF @ 25V
    4.8nC @ 4.5V
    15ns
    8.2 ns
    8.2A
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    1.75mm
    3mm
    1.3mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    2008
    19MOhm
    DUAL
    2W
    ±20V
    1.8V
    80A
    12 ns
    1.8 V
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R 对比
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP 对比