ON Semiconductor FDMC7200

工厂交货时间

23 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

包装/外壳

8-PowerWDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

186mg

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

38 ns

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A 8A

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

最大功率耗散

900mW

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

接通延迟时间

13 ns

功率 - 最大

700mW 900mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23.5m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

上升时间

4ns

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

30 pF

宽度

3mm

长度

3mm

高度

800μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant