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首页 全部分类 FDMC7200S vs DMN3024LK3-13

FDMC7200S备选型号: DMN3024LK3-13

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  • 场效应管特性
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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
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  • 上升时间
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC7200S
    ON Semiconductor
    MOSFET
    23 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    186mg
    SILICON
    2
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    1W
    无铅
    未说明
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    700mW 1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 15V
    10nC @ 10V
    30V
    13A
    20V
    7A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    30 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3024LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK
    17 Weeks
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    3.949996g
    SILICON
    9.78A Ta
    -
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    12.9nC @ 10V
    30V
    14.4A
    20V
    9.78A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    R-PSSO-G2
    8.9W
    2.9 ns
    3.3ns
    ±20V
    8 ns
    TO-252AA
    0.024Ohm
    46.5A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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