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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.56087
10
¥9.019686
100
¥8.509137
500
¥8.02749
1000
¥7.573101
ON Semiconductor FDMC7200S
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- 对比
FDMC7200S
1807-FDMC7200S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMC7200S详情
ON Semiconductor FDMC7200S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
23 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
包装/外壳
8-PowerWDFN
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
186mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A 13A
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
最大功率耗散
1W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
排水源头
功率 - 最大
700mW 1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC7200S拓展信息











哦! 它是空的。