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首页 全部分类 FDMC7692 vs IRFHM8330TRPBF

FDMC7692备选型号: IRFHM8330TRPBF

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 配置
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC7692
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8-MLP
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    200mg
    SILICON
    13.3A Ta 16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N5
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 13.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1680pF @ 15V
    29nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3 ns
    16A
    1.9V
    20V
    30V
    40A
    1.9 V
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8330TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    S-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5.7 ns
    16A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    2013
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    55A
    0.0066Ohm
    42 mJ
    无
    无铅
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