ON Semiconductor FDMS7602S
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FDMS7602S
1807-FDMS7602S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
--最小包装量--
FDMS7602S详情
ON Semiconductor FDMS7602S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
211mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A 17A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.5MOhm
最大功率耗散
2.5W
JESD-30代码
R-PDSO-N6
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
箱体转运
排水源头
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1750pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
上升时间
3.8ns
下降时间(典型值)
3.2 ns
连续放电电流(ID)
17A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
1.8 V
高度
700μm
长度
5mm
宽度
6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMS7602S拓展信息










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