您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC8010ET30 vs IPB180N03S4L01ATMA1

FDMC8010ET30备选型号: IPB180N03S4L01ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDMC8010ET30
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    SILICON
    30A Ta 174A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 1mA
    5860pF @ 15V
    94nC @ 10V
    30V
    ±20V
    174A
    MO-240BA
    30A
    0.0013Ohm
    30V
    153 mJ
    250 pF
    75ns
    42ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB180N03S4L01ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
    -
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G6
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    1.05m Ω @ 100A, 10V
    2.2V @ 140μA
    17600pF @ 25V
    239nC @ 10V
    -
    ±16V
    180A
    -
    -
    0.00105Ohm
    -
    530 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2009
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    8 ns
    无卤素
    5ns
    23 ns
    16V
    30V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPB180N03S4L01ATMA1 IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 对比
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V 对比
STL220N3LLH7 STL220N3LLH7 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET POWER MOSFET 对比