ON Semiconductor FDMC8010ET30

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

152.7mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Ta 174A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 65W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5860pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

94nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

174A

JEDEC-95代码

MO-240BA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.0013Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

153 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

250 pF

关断时间-最大值（toff)

75ns

接通时间-最大值(ton)

42ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅