您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC8030 vs FDMC8327L

FDMC8030备选型号: FDMC8327L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMC8030
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel 40 V 1.9 W 30 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 33-8
    ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    196mg
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    雪崩 额定
    800mW
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    1.9W
    排水源头
    7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    10m Ω @ 12A, 10V
    2.8V @ 250μA
    1975pF @ 20V
    30nC @ 10V
    3ns
    40V
    3 ns
    12A
    1.5V
    12V
    40V
    50A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    30 pF
    800μm
    3mm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC8327L
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDMC8327L - MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    180mg
    SILICON
    12A Ta 14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    8.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1850pF @ 20V
    26nC @ 10V
    2.2ns
    -
    2.2 ns
    12A
    1.7V
    20V
    40V
    60A
    -
    150°C
    -
    -
    800μm
    3.3mm
    3.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    DUAL
    S-PDSO-N5
    ±20V
    MO-240BA
    0.0097Ohm
    25 mJ
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP 对比
FDD8647L FDD8647L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比
IRF7811WTRPBF IRF7811WTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 对比