Infineon Technologies IRF7811WTRPBF

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta

Turn Off Delay Time

29 ns

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

已出版

2009

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

14A

功率耗散

1W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2335pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

9.9 ns

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

输入电容

2.335nF

漏源电阻

12mOhm

最大rds

12 mΩ

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅