您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC8200 vs IRFHS8342TR2PBF

FDMC8200备选型号: IRFHS8342TR2PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC8200
    ON Semiconductor
    MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    23 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    186mg
    SILICON
    8A 12A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20MOhm
    900mW
    无铅
    未说明
    未说明
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN-SOURCE
    700mW 900mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 15V
    10nC @ 10V
    4ns
    6 ns
    8A
    2.3V
    20V
    8A
    30V
    40A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.3 V
    30 pF
    30ns
    750μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHS8342TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    -
    -
    8.8A Ta 19A Tc
    -
    Digi-Reel®
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2.1W
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.1W
    -
    -
    N-Channel
    -
    16mOhm @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    15ns
    5 ns
    8.8A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    1.8 V
    -
    -
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    PG-TSDSON-6
    2010
    150°C
    -55°C
    5.9 ns
    30V
    600pF
    17 ns
    16mOhm
    16 mΩ
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFHS8342TR2PBF IRFHS8342TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 对比
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerVDFN INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew 对比