您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC86102LZ vs FDMS86520L

FDMC86102LZ备选型号: FDMS86520L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端形式
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    FDMC86102LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    6 Weeks
    Gold, Silver
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    SILICON
    7A Ta 18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    24MOhm
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    260
    30
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 6.5A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1290pF @ 50V
    22nC @ 10V
    2.3ns
    ±20V
    2.5 ns
    7A
    20V
    7A
    100V
    30A
    1.6 V
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86520L
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    74mg
    SILICON
    13.5A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    -
    -
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 13.5A, 10V
    3V @ 250μA
    4615pF @ 30V
    63nC @ 10V
    5.6ns
    ±20V
    3.4 ns
    13.5A
    20V
    22A
    60V
    60A
    1.8 V
    1.1mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    FLAT
    1
    1.8V
    MO-240AA
    150°C
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMC7696 FDMC7696 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 对比
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 对比
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK 对比