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首页 全部分类 FDMC86139P vs IRF6655TRPBF

FDMC86139P备选型号: IRF6655TRPBF

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  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 配置
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMC86139P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    SILICON
    4.4A Ta 15A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    67m Ω @ 4.4A, 10V
    4V @ 250μA
    1335pF @ 50V
    22nC @ 10V
    2.5ns
    100V
    ±25V
    4 ns
    -4.4A
    -3V
    25V
    0.067Ohm
    -100V
    30A
    150°C
    40ns
    30ns
    800μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6655TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    5
    -
    SILICON
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    -
    -
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    62m Ω @ 5A, 10V
    4.8V @ 25μA
    530pF @ 25V
    11.7nC @ 10V
    2.8ns
    -
    ±20V
    4.3 ns
    4.2mA
    -
    20V
    0.062Ohm
    100V
    34A
    -
    -
    -
    508μm
    4.826mm
    3.9624mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    100V
    4.2A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    11 mJ
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