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首页 全部分类 FDMC86139P vs IPG16N10S461ATMA1

FDMC86139P备选型号: IPG16N10S461ATMA1

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  • 端子位置
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  • 通道数量
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDMC86139P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    SILICON
    4.4A Ta 15A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    67m Ω @ 4.4A, 10V
    1335pF @ 50V
    22nC @ 10V
    2.5ns
    100V
    ±25V
    4 ns
    -4.4A
    -3V
    25V
    0.067Ohm
    -100V
    30A
    150°C
    40ns
    30ns
    800μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG16N10S461ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    SILICON
    2
    -
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2011
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    R-PDSO-F6
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    61m Ω @ 16A, 10V
    490pF @ 25V
    7nC @ 10V
    1ns
    -
    -
    -
    16A
    -
    20V
    0.061Ohm
    -
    64A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    29W
    FLAT
    not_compliant
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    29W
    3.5V @ 9μA
    无卤素
    100V
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    20 pF
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