FDMC86244备选型号: FDT86244

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin Power 33 T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    180mg
    SILICON
    2.8A Ta 9.4A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    26W
    DRAIN
    5.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    134m Ω @ 2.8A, 10V
    345pF @ 75V
    5.9nC @ 10V
    1.5ns
    ±20V
    2.3 ns
    9.4A
    2.6V
    20V
    150V
    2.6 V
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    250.2mg
    SILICON
    2.8A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    5.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    128m Ω @ 2.8A, 10V
    395pF @ 75V
    7nC @ 10V
    1.3ns
    ±20V
    2.4 ns
    2.8A
    3.1V
    20V
    150V
    3.1 V
    1.7mm
    3.7mm
    6.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    5 pF
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