ON Semiconductor FDMC86244
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FDMC86244
1807-FDMC86244
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin Power 33 T/R
--最小包装量--
FDMC86244详情
ON Semiconductor FDMC86244重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
180mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.8A Ta 9.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.3W Ta 26W Tc
Turn Off Delay Time
9.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
26W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
134m Ω @ 2.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
345pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.9nC @ 10V
上升时间
1.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.3 ns
连续放电电流(ID)
9.4A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
栅源电压
2.6 V
高度
750μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMC86244拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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