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首页 全部分类 FDMD8240L vs FDMS7660AS

FDMD8240L备选型号: FDMS7660AS

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD8240L
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMD8240L Dual MOSFET, Power Trench, Dual N Channel, 98 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    82.3188mg
    36 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    2.1W
    12 ns
    2 N-Channel (Dual)
    2.6m Ω @ 23A, 10V
    3V @ 250μA
    4230pF @ 20V
    56nC @ 10V
    40V
    23A
    2V
    20V
    40V
    150°C
    Standard
    800μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7660AS
    ON Semiconductor
    N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    26A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    83W
    19 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 25A, 10V
    3V @ 1mA
    6120pF @ 15V
    90nC @ 10V
    -
    26A
    1.9V
    20V
    30V
    -
    -
    1.05mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    8ns
    ±20V
    5 ns
    MO-240AA
    0.0024Ohm
    5mm
    6mm
    无
    无铅
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