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FDMD8240L备选型号: FDMS8460
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- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- JESD-30代码
- 电压
- 操作模式
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMD8240L Dual MOSFET, Power Trench, Dual N Channel, 98 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 VNewACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 Weeks表面贴装表面贴装12-PowerWDFN1282.3188mg36 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)2.1W未说明not_compliant未说明2Dual2.1W12 ns2 N-Channel (Dual)2.6m Ω @ 23A, 10V3V @ 250μA4230pF @ 20V56nC @ 10V40V23A2V20V40V150°CStandard800μm无SVHCROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 40V 25A POWER56ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-25A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99------Single2.5W19 nsN-Channel2.2m Ω @ 25A, 10V3V @ 250μA7205pF @ 20V110nC @ 10V-25A1.9V20V40V--1.05mm无SVHCROHS3 CompliantTinSILICON52.2MOhmDUALR-PDSO-N540V增强型MOSFETSWITCHING9ns±20V7 ns49A5mm6mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56 | 对比 |
| FDMS8460 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 25A POWER56 | 对比 |
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