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FDMD8560L备选型号: AUIRFS3207Z
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- 最大功率耗散
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 连续放电电流(ID)
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 高度
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- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 下降时间（典型值）
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- 长度
- 宽度
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MOSFET 2N-CH 46V 22A POWERACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN894.85095mg22A 93A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)2.2W未说明not_compliant未说明22.2W20 ns2 N-Channel (Half Bridge)3.2m Ω @ 22A, 10V3V @ 250μA11130pF @ 30V128nC @ 10V22A1.6V20V60V150°CStandard800μm无SVHCROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3-Discontinued1 (Unlimited)EAR99--260-30-300W20 nsN-Channel4.1m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6920pF @ 50V170nC @ 10V120A2V20V75V--4.83mm无SVHCROHS3 CompliantTinSILICON20112AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING68ns±20V68 ns670A10.67mm9.65mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3206 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3207Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK | 对比 |
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