FDMD8560L
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ON Semiconductor FDMD8560L

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型号

FDMD8560L

utmel 编号

1807-FDMD8560L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER

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FDMD8560L
FDMD8560L ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER

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FDMD8560L详情

ON Semiconductor FDMD8560L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • 引脚数

    8

  • 质量

    94.85095mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    22A 93A

  • Turn Off Delay Time

    57 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    2.2W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 通道数量

    2

  • 功率耗散

    2.2W

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.2m Ω @ 22A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    11130pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    128nC @ 10V

  • 连续放电电流(ID)

    22A

  • 阈值电压

    1.6V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Standard

  • 高度

    800μm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ON Semiconductor FDMD8560L.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDMD8560L相似的参数规格。

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FDMD8560L拓展信息

FDG6301N
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ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

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