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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥29.002025
10
¥27.360401
100
¥25.8117
500
¥24.35066
1000
¥22.97232
ON Semiconductor FDMD8560L
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- 对比
FDMD8560L
1807-FDMD8560L
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMD8560L详情
ON Semiconductor FDMD8560L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
94.85095mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A 93A
Turn Off Delay Time
57 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2.2W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
功率耗散
2.2W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.2m Ω @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11130pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
128nC @ 10V
连续放电电流(ID)
22A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Standard
高度
800μm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMD8560L拓展信息








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