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首页 全部分类 FDME510PZT vs DMP2035UTS-13

FDME510PZT备选型号: DMP2035UTS-13

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 高度
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  • 辐射硬化
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  • 已出版
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    FDME510PZT
    ON Semiconductor
    P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -6A, 37mO
    16 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6-PowerUFDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6
    30mg
    SILICON
    6A Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ESD PROTECTION
    DUAL
    S-PDSO-N3
    Single
    增强型MOSFET
    1.4W
    DRAIN
    6.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    37m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1490pF @ 10V
    22nC @ 4.5V
    10ns
    20V
    ±8V
    54 ns
    6A
    -500mV
    8V
    6A
    0.037Ohm
    -20V
    -500 mV
    1.6mm
    1.6mm
    500μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2035UTS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET P-CHAN
    15 Weeks
    -
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    157.991892mg
    SILICON
    2
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    890mW
    -
    16.8 ns
    2 P-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    35m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1610pF @ 10V
    15.4nC @ 4.5V
    12.4ns
    20V
    -
    42.4 ns
    6.04A
    -
    8V
    -
    0.045Ohm
    -20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    2010
    890mW
    鸥翼
    260
    40
    DMP2035UTS
    8
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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