FDME510PZT备选型号: FDC604P
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 已出版
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 最大结点温度(Tj)
- 无铅
- P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -6A, 37mO16 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN630mgSILICON6A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)ESD PROTECTIONDUALS-PDSO-N3Single增强型MOSFET1.4WDRAIN6.5 nsP-ChannelSWITCHING37m Ω @ 6A, 4.5V1490pF @ 10V22nC @ 4.5V10ns20V±8V54 ns6A-500mV8V6A0.037Ohm-20V-500 mV500μm1.6mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant---------
- In a Pack of 10, P-Channel MOSFET, 5.5 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC604P10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON5.5A Ta1.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)6EAR99--DUAL-Single增强型MOSFET1.6W-13 nsP-ChannelSWITCHING33m Ω @ 5.5A, 4.5V1926pF @ 10V30nC @ 4.5V11ns20V±8V11 ns-5.5A-700mV8V---20V-700 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 CompliantTin200133MOhm-20V鸥翼-5.5A1150°C无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMA510PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET | 对比 | |
| FDC604P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | In a Pack of 10, P-Channel MOSFET, 5.5 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC604P | 对比 | |
| FDME410NZT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET 20V N-Channel PowerTrench | 对比 |


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