ON Semiconductor FDME410NZT
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FDME410NZT
1807-FDME410NZT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-PowerUFDFN
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MOSFET 20V N-Channel PowerTrench
--最小包装量--
FDME410NZT详情
ON Semiconductor FDME410NZT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
25 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-PowerUFDFN
引脚数
6
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Ta
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
ESD PROTECTION
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1025pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 4.5V
上升时间
3.4ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
3.2 ns
连续放电电流(ID)
7A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
20V
栅源电压
700 mV
高度
500μm
长度
1.6mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDME410NZT拓展信息
ON Semiconductor
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