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首页 全部分类 FDMJ1023PZ vs FDG327N

FDMJ1023PZ备选型号: FDG327N

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 额定电流
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMJ1023PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75
    表面贴装
    表面贴装
    6-WFDFN Exposed Pad
    75
    29mg
    2.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    700mW
    Dual
    1.4W
    2 P-Channel (Dual)
    112m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1V @ 250μA
    400pF @ 10V
    6.5nC @ 4.5V
    4ns
    4 ns
    -2.9A
    8V
    20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
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  • ON Semiconductor
    FDG327N
    ON Semiconductor
    Transistor, Mosfet, N-channel, 20V V(br)dss, 1.5A I(d), SOT-363
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    420mW
    N-Channel
    90m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    423pF @ 10V
    6.3nC @ 4.5V
    6.5ns
    6.5 ns
    1.5A
    8V
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    SILICON
    2017
    e3
    yes
    6
    EAR99
    90mOhm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1.5A
    30
    增强型MOSFET
    6 ns
    SWITCHING
    ±8V
    700mV
    700 mV
    20V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
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