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首页 全部分类 FDMS0309AS vs IRFHM830TRPBF

FDMS0309AS备选型号: IRFHM830TRPBF

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS0309AS
    ON Semiconductor
    MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
    18 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    68.1mg
    SILICON
    2.5W Ta 50W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    260
    not_compliant
    30
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    3V @ 1mA
    3000pF @ 15V
    47nC @ 10V
    4.5ns
    ±20V
    3.7 ns
    49A
    MO-240AA
    20V
    0.0035Ohm
    30V
    66 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM830TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    12 Weeks
    -
    8-VQFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    -
    8
    -
    SILICON
    21A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    S-PDSO-N5
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2155pF @ 25V
    31nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    9.2 ns
    21A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    2010
    6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1.8V
    40A
    1.8 V
    1mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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