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首页 全部分类 FDMS037N08B vs AUIRFS3207Z

FDMS037N08B备选型号: AUIRFS3207Z

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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 配置
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMS037N08B
    ON Semiconductor
    MOSFET PT7 75V 3.7mohm PQFN56
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    830mW
    DRAIN
    34.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 50A, 10V
    4.5V @ 250μA
    5915pF @ 37.5V
    100nC @ 10V
    ±20V
    100A
    MO-240AA
    20V
    0.0037Ohm
    75V
    45 pF
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS3207Z
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    SINGLE
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.1m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6920pF @ 50V
    170nC @ 10V
    ±20V
    120A
    -
    20V
    -
    75V
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    68ns
    68 ns
    2V
    670A
    无SVHC
    无
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