ON Semiconductor FDMS037N08B
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FDMS037N08B
1807-FDMS037N08B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET PT7 75V 3.7mohm PQFN56
--最小包装量--
FDMS037N08B详情
ON Semiconductor FDMS037N08B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
68.1mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
830mW Ta 104.2W Tc
Turn Off Delay Time
55.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
830mW
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
34.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5915pF @ 37.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0037Ohm
漏源击穿电压
75V
反馈上限-最大值 (Crss)
45 pF
高度
1.05mm
长度
5.1mm
宽度
6.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS037N08B拓展信息
ON Semiconductor
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