ON Semiconductor FDMS037N08B

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

68.1mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

55.3 ns

Power Dissipation (Max)

830mW Ta 104.2W Tc

Number of Elements

1

已出版

2013

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

830mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

34.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5915pF @ 37.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0037Ohm

漏源击穿电压

75V

反馈上限-最大值 (Crss)

45 pF

宽度

6.25mm

长度

5.1mm

高度

1.05mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant