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FDMS037N08B备选型号: IRF7580MTRPBF
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- JESD-609代码
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 通道数量
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 无铅
MOSFET PT7 75V 3.7mohm PQFN56ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5Single增强型MOSFET830mWDRAIN34.9 nsN-ChannelSWITCHING3.7m Ω @ 50A, 10V4.5V @ 250μA5915pF @ 37.5V100nC @ 10V±20V100AMO-240AA20V0.0037Ohm75V45 pF1.05mm5.1mm6.25mmROHS3 Compliant-----
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET-12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric ME10--114A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2013--活跃1 (Unlimited)-EAR99---未说明-未说明-Single-115W-20 nsN-Channel-3.6m Ω @ 70A, 10V3.7V @ 150μA6510pF @ 25V180nC @ 10V±20V114A-20V------ROHS3 Compliant138ns60V21 ns无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STL130N8F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 80V 130A 8-Pin Power Flat T/R | 对比 |
 | AUIRFS3207Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK | 对比 |
| IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
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