FDMS3602S备选型号: FDMS3600S
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- DUAL N CH MOSFET, 25V, 40A, POWER56 - More DetailsACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mgSILICON15A 26A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR995.6MOhmTin (Sn)1WR-PDSO-N6增强型MOSFET2.5W排水源头2 N-Channel (Dual)SWITCHING5.6m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA1680pF @ 13V27nC @ 10V4.2ns3.2 ns26A20V15A25V40A50 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.8 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More DetailsACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装--8171mg-2-Tape & Reel (TR)--e3yes活跃1 (Unlimited)7EAR99-Tin (Sn)1WR-PQFP-N7增强型MOSFET2.5W排水源头-SWITCHING----5.3ns3.9 ns30A20V15A25V--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-1.8 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant-150°C-55°CQUADDual25VN-CHANNEL1.68nF1.6mOhm5.6 mΩ90 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS3624S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | MOSFET 25V PowerTrench Power Stage | 对比 | ||
| FDMS3600AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET iFET - Smart Harvest | 对比 | |
![]() | BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | 对比 |



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