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首页 全部分类 FDMS3615S vs FDD6796A

FDMS3615S备选型号: FDD6796A

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMS3615S
    ON Semiconductor
    MOSFET DUAL N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    16A 18A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    1W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 16A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1765pF @ 13V
    27nC @ 10V
    3ns
    2.2 ns
    18A
    20V
    16A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    115 pF
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6796A
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 25V 20A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    20A Ta 40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    3.7W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1780pF @ 13V
    34nC @ 10V
    7ns
    4 ns
    20A
    20V
    67A
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    鸥翼
    Single
    8 ns
    ±20V
    0.0057Ohm
    40 mJ
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