注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.797948
10
¥9.243348
100
¥8.720136
500
¥8.226541
1000
¥7.760887
ON Semiconductor FDMS3616S
- 收藏
- 对比
FDMS3616S
1807-FDMS3616S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMS3616S详情
ON Semiconductor FDMS3616S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
Power56
质量
90mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A 18A
Turn Off Delay Time
24 ns
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2.3W
元素配置
Dual
功率耗散
1W
功率 - 最大
1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.6mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1765pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
2.2 ns
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
25V
输入电容
1.765nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
3.5mOhm
最大rds
6.6 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
FDMS3616S拓展信息








哦! 它是空的。