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首页 全部分类 FDMS3615S vs FDMS7600AS

FDMS3615S备选型号: FDMS7600AS

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 终端形式
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS3615S
    ON Semiconductor
    MOSFET DUAL N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    16A 18A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    1W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 16A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1765pF @ 13V
    27nC @ 10V
    3ns
    2.2 ns
    18A
    20V
    16A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    115 pF
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7600AS
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    SILICON
    12A 22A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    1W
    R-PDSO-F6
    增强型MOSFET
    1W
    SOURCE
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1750pF @ 15V
    28nC @ 10V
    7.6ns
    5.2 ns
    40A
    20V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    700μm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    FLAT
    1V
    0.0075Ohm
    1 V
    无SVHC
    无铅
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