您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMS3668S vs IRF7463TRPBF

FDMS3668S备选型号: IRF7463TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS3668S
    ON Semiconductor
    MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    171mg
    SILICON
    13A 18A
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    FLAT
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    7.7 ns
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1765pF @ 15V
    29nC @ 10V
    18A
    12V
    13A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    70 pF
    1.1mm
    5mm
    5.9mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7463TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    SILICON
    14A Ta
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 14A, 10V
    2V @ 250μA
    3150pF @ 15V
    51nC @ 4.5V
    14A
    12V
    -
    30V
    -
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    无
    Contains Lead, Lead Free
    2004
    8MOhm
    30V
    DUAL
    14A
    16ns
    ±12V
    6.5 ns
    2V
    320 mJ
    2 V
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF7463TRPBF IRF7463TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 对比
FDMS3686S FDMS3686S ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerTDFN MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET 对比
FDS7764A FDS7764A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R 对比