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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.121519
10
¥15.208981
100
¥14.348092
500
¥13.535937
1000
¥12.769752
ON Semiconductor FDMS3668S
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- 对比
FDMS3668S
1807-FDMS3668S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMS3668S详情
ON Semiconductor FDMS3668S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
8-PowerTDFN
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
171mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A 18A
Turn Off Delay Time
19 ns
Number of Elements
2
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
排水源头
接通延迟时间
7.7 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1765pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
70 pF
高度
1.1mm
长度
5mm
宽度
5.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
FDMS3668S拓展信息








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