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首页 全部分类 FDMS5672 vs FDS5670

FDMS5672备选型号: FDS5670

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 配置
  • 电压
  • 电流
  • 晶体管应用
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMS5672
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin MLP EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    231mg
    SILICON
    10.6A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    11.5MOhm
    60V
    DUAL
    无铅
    未说明
    22A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    N-Channel
    11.5m Ω @ 10.6A, 10V
    4V @ 250μA
    2800pF @ 30V
    45nC @ 10V
    17ns
    ±20V
    8 ns
    10.6A
    3.2V
    20V
    60V
    60A
    60V
    3.2 V
    750μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS5670
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    14MOhm
    60V
    DUAL
    鸥翼
    -
    10A
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    N-Channel
    14m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    2900pF @ 15V
    70nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    23 ns
    10A
    2.4V
    20V
    60V
    -
    60V
    2.4 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    10A
    SWITCHING
    无
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